单晶少子寿命测试仪 型号:THZ24-LT-2库号：M408359 查看hh LT-2型单晶少子寿命测试仪，该仪器用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 本仪器根据高频光电导衰退法的原理，由稳压电源、高频源、检波放大器，InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。 技 术 指 标 ： 测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm 可测单晶少子寿命范围 5μS～7000μS 配备光源类型 波长：1.09μm；余辉<1 μS； 闪光频率为：20～30次／秒； 高频振荡源 用石英谐振器，振荡频率：30MHz 前置放大器 放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复 <±20％ 测量方式 采用对标准曲线读数方式 仪器消耗功率 <25W 仪器工作条件 温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz 可测单晶尺寸 断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm； 纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm； 配用示波器 频宽0—20MHz； 电压灵敏：10mV／cm； |
