晶体电光效应实验仪库号：M383945 实验内容： 观察会聚偏振光激光LiNbO3晶体后形成的干涉图形， 比较不同电压下的差异，理解单轴与双轴晶体的区别； 观察测量不同电压条件下的输出光的偏振态； 理解Pockels效应的工作机理，测量半波电压，确定△n与E的线性关系，绘出调制曲线； 用外加电信号对晶体进行调制，实验电信号的光传输； 理解工作点对调制、传输过程的影响。 仪器特点：采用半导体激光器（650nm，4mW）作为光源，使得实验操作灵活、简单；可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程，干涉图样完*整、清*晰。 仪器参数： 光学实验导轨800mm，半导体激光器650nm 4mW；激光功率计数字表头，量程分别为200Μw、2mW、20mW、200mW和可调档；晶体的通光面积为5*5mm；驱动电压Vmax≥1600V。 实验内容： 观察会聚偏振光激光LiNbO3晶体后形成的干涉图形， 比较不同电压下的差异，理解单轴与双轴晶体的区别； 观察测量不同电压条件下的输出光的偏振态； 理解Pockels效应的工作机理，测量半波电压，确定△n与E的线性关系，绘出调制曲线； 用外加电信号对晶体进行调制，实验电信号的光传输； 理解工作点对调制、传输过程的影响。 仪器特点：采用半导体激光器（650nm，4mW）作为光源，使得实验操作灵活、简单；可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程，干涉图样完*整、清*晰。 仪器参数： 光学实验导轨800mm，半导体激光器650nm 4mW；激光功率计数字表头，量程分别为200Μw、2mW、20mW、200mW和可调档；晶体的通光面积为5*5mm；驱动电压Vmax≥1600V。
晶体电光效应实验仪库号：M383945 
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