一、可开设的实验
1、学习霍尔效应原理，测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流和IM之间的关系；
2、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差；
3、测量单个通电圆线圈轴线上（X方向）各点的磁感应强度；
4、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度；比较和验证磁场叠加的原理
5、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度；
6、测量亥姆霍兹线圈Y方向上B的分布；
7、测量亥姆霍兹线圈Ｚ方向上B的分布；
8、测量通电线圈任意位置的B值。
二、主要技术参数
1、励磁电流IM输出范围：直流0～0.500A，3位半数字表测量，调节细度：1mA，负载电阻范围：0～40Ω；
2、霍尔片工作电流IS输出范围：直流0～5.00mA，3位半数字表测量，调节细度：10μA，负载电阻范围：0～1KΩ；
3、霍尔电压VH输入测量范围：直流±0～19.99mV，3位半数字表测量，分辨力10μV。
4、亥姆霍兹线圈
　线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距：50～200mm连续可调；
　线圈匝数：500匝（单个），线圈电阻：约15Ω；
5、霍尔元件
　砷化镓霍尔元件，四端引出，灵敏度>140mV/（mA·T） ；
霍尔片的厚度的d为0.2mm，宽度 为1.5mm，长度L为2.5mm；
6、三维可移动装置：X向移动距离±200mm，Y向移动距离±80mm，Z向移动距离±80mm。